技术编号:7172278
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的工艺及集成电路的制造。具体地说,本发明涉及一种生成闸门氧化硅层,内含有氮化物并以检测氮化物浓度决定生成薄的闸门层于MOS结构,应用于逻辑元件。背景技术 我们可认知此发明应用更广泛的运用价值,例如,此发明可用于各类式元件像动态随机存取存储器,静态随机存取存储器,(SRAM),专用集成电路(ASIC),微处理器,微控制器,Flash存储器及其他。集成电路或“IC”,涉及将无数相连通的元件组制造于单一晶体片上含不百万的元件。现今的IC所提供...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。