技术编号：7172282
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及适合于制造射频电路的低阻硅衬底的制备。射频电路指工作于射频、微波和毫米波波段的元器件、组件及其组合电路和微电子机械(MEMS)系统，属微电子固体器件及其制造的。背景技术 随着通讯、特别是无线移动通信技术的飞速发展，急需将射频/微波有源器件与无源器件，如共平面波导、电容器、电感器、滤波器、放大器、移相器及天线等，集成在与常规IC电路兼容的单片衬底上。电阻率为1～30Ω·cm的低阻硅价格低廉，适于作为制造ULSIC和ASIC集成电路的衬底。但低阻硅却...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。