技术编号:7173996
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种RIE制绒晶体硅电池,特别是一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池。背景技术当前晶体硅太阳能电池生产中,一般采用PECVD方法生长单层SiNx薄膜作为正面钝化层及减反膜,具有降低表面反射以及表面钝化、体钝化作用。一方面钝化硅晶体表面, 减少表面复合中心;另一方面由于SiNx薄膜中含有大量的以N-H键和Si-H键存在的氢,烧结过程中氢从N-H键、Si-H键中释放出来,然后扩散进入电池内,起到体钝化的作用。但SiNx沉积在硅片表面后,界面缺陷密度...
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