技术编号:7174219
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体,涉及一种具有P埋层的纵向沟道SOI (绝缘层上的硅)LIGBT (横向绝缘栅双极晶体管)器件单元。背景技术SOI LIGBT器件由于其较小的体积、重量,较高的工作温度和较强的抗辐照能力, 较低的成本和较高的可靠性,作为无触点功率电子开关或功率驱动器在智能电力电子、高温环境电力电子、空间电力电子和交通工具电力电子等技术中具有广泛应用。常规SOI LIGBT是在SOI衬底的η—漂移区上形成场氧化层;在近阴极区端采用双离子注入多晶硅自对准掺...
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