技术编号:7175239
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有欧姆电极的氮化镓III-V族化合物半导体器件及其制造方法。背景技术 近年来,采用GaN、GaAlN、InGaN、InAlGaN等氮化镓系III-V族化合物半导体材料的发光器件备受关注。这类发光器件通常具有在衬底上将n型氮化镓系化合物半导体层与掺p型掺杂剂的氮化镓系化合物半导体层叠层的结构。已往,掺p型掺杂剂的氮化镓III-V族化合物半导体层仍是高阻i型,因而,已有的器件就是所谓的MIS结构。最近,将高阻i型层转化为低阻p型层的技术,例如已被特...
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