技术编号：7177114
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体磊晶结构，特别是关于一种氮化镓系异质结构光二极体，藉由掺杂硼于PIN光二极体(PIN photodiode，PIN PD)的作用层，调整P层及N层间的能隙(band gap)，以提升受光能力。背景技术 氮化镓系(GaN-based)化合物半导体材料主要应用于制作二极体，包括发光二极体(LFD)、激光二极体(LD)、高频/高功率电晶体及光二极体等元件。二极体结构，一般是P型及N型接面上形成一作用层，若于P型及N型接面间另外夹以一活化作用层...
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