技术编号：7177866
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置，特别涉及包含用于栅绝缘膜和隧道绝缘膜等的SiO2膜(硅氧化膜)的半导体装置。背景技术 近年来，可实现轻巧、小型化显示的液晶显示装置正受到人们的注意。在该显示装置中，由于驱动时需要15V左右的高电压，因此一般采用由高电压负载下也不致破坏的可靠性高的场效应晶体管(高耐压晶体管)和为实现低电力消耗及高速运行的微晶体管(低耐压晶体管)构成的控制用LSI(大规模集成电路)。过去，为提高高耐压晶体管的耐电特性、获得高可靠性，有效的办法是提高夹在构...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。