技术编号:7179355
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件的制造方法,特别是关于一种可改善高压元件(HighVoltage Device)结构与元件特性的高压元件制造方法。背景技术 高压元件是应用在电子产品中需要以高电压操作的部份,通常在集成电路的架构中,有些产品在输入/输出(I/O)区域中的控制元件会比在核心元件区域中的控制元件所需的电压更大,使该输入/输出区域必须具有能耐更高电压的元件,以防止元件在高压下的正常操作不会发生电压崩溃(Breakdown)等现象;所以高压元件的结构与一般元...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。