技术编号:7180071
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体测试领域,特别涉及一种栅氧化层完整性的测试结构及测试方 法和一种介质层完整性的测试结构及测试方法。背景技术在半导体器件的制造过程中,为了对制造工艺进行监控,保证半导体器件的可靠 性,通常的做法是在器件中形成测试结构(testkey),用于一些关键参数的测试。在CMOS工 艺中,栅氧化层(gate oxide)是器件结构中的重要结构,栅氧化层应该是一个理想的介质 层,其中没有影响其绝缘特性的缺陷,但是,在制造过程中如离子扩散侵入、俘获电荷等因...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。