技术编号:7180080
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于发光二极管、激光器、光探测器、太阳能电池等半导体光电器件的 量子阱结构及制备方法,尤其是指用于半导体光电器件的多量子阱结构的制备方法。背景技术近年来,量子阱结构特别是多量子阱结构(MQW=Multi-Quantum-WeIl)的引入给 半导体光电器件,诸如发光二极管、激光器、光探测器等的发展注入了新的活力。多量子阱 结构中由于两种材料的禁带宽度不同而引起的沿薄层交替生长方向的附加周期势分布中 的势阱称为量子阱。势阱层的禁带宽度应小于势垒层的禁...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。