技术编号：7180137
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种利于金属填充的SDMOS接触 孔形状的形成方法。背景技术SDMOS (集成肖特基功率MOS晶体管)的肖特基二极管结构做在接触孔底部，则需 要用不同的离子注入分别在源区形成欧姆接触和在接触孔底部形成肖特基接触。具体方 法包括如下步骤(如图1所示)(1)在接触孔曝光后进行金属层间氧化物1的湿法刻蚀；进行金属层间氧化物1的干法刻蚀；(3)第一道接触孔刻蚀；(4)第一次接触孔离子注 入4 ； (5)第二道接触孔刻蚀；(...
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