技术编号:7180161
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种填充高深宽比沟槽的外延工艺 方法。背景技术超结结构的MOSFET (金属氧化物半导体场效应管),由于其构造特殊,导通电阻非 常低,耐高压,发热量低,打破了传统功率MOSFET理论极限。超结结构的MOSFET P(N)型沟道传统的制造工艺方法是首先在衬底硅片上生长 一层外延层,然后再在合适的位置进行注入掺杂;然后再生长一层外延层,再在前次相同的 注入位置进行注入。经过多次的循环外延生长和注入,直至外延厚度达到所需要...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。