技术编号：7180186
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路 领域，特别是涉及一种实现硅锗异质结晶体管基区窗 口的方法。背景技术在SiGe (硅锗)异质结晶体管(SiGe HBT)的制备工艺中，SiGe基区的形成是通 过外延的方式实现的，包括选择性外延，非选择性外延和复合外延。目前常规的非选择性外延基区形成的方法是(结合图1所示)1.介质膜105淀 积。该介质膜105为氧化膜，或者氧化膜与其它膜质的组合。2.SiGe基区窗口打开。3. SiGe 外延生长，形成SiGe基极单晶硅层110和Si...
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