技术编号：7180217
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路制造设备，具体涉及一种用于垂直氧化炉管的三柱石英舟。背景技术在集成电路制造厂(IC foundry)中，采用常压高温氧化炉管工艺，以热氧化生长 的方式在硅片上生成二氧化硅，用于feite Oxide (栅氧化)，Pad Oxide (垫层氧化)，Sac Oxide (牺牲氧化)或Field Oxide (场氧化)，也可以用作Anneal (退火)和狗11 Drive (阱 驱动)等工艺。以上工艺的反应温度范围从800°C到1100°C...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。