技术编号：7180224
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，尤其是一种沟槽MOS器件。 背景技术公开号为CN1547765A的中国专利申请公开文件中，公开了一种带有肖特基的MOS 器件，其结构如图1所示，等效电路图如图2所示。该技术方案中，给MOSFET并联一个肖特 基二极管来降低整个器件的正向导通电压，从而来降低功率损耗。通过219b区域形成金属 和硅的直接接触，形成肖特基接触来降低整个器件的导通阻抗，但是这样的结构需要在芯 片表面另外的面积来实现。但是由于肖特基器件本身的金属和Si的直...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。