技术编号:7180227
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路器件,特别是涉及一种场氧化隔离工艺中的电极 引出结构。背景技术如图1所示,为现有的双极性晶体管结构图,有源区由局部场氧104隔离也即为局 部场氧化层隔离,包括一集电区102、一基区和一发射区107 ;所示集电区102由一外延层 构成,底部连接一高浓度埋层101,所述集电区102通过该埋层101和其相隔的有源区的高 能量离子注入区103相连,并在所述高能量离子注入区103上做接触引出集电极;所述基 区形成于所述集电区102的顶部,...
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