技术编号:7180261
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及MOSFET晶体管,主要涉及具有沟槽结构的DMOS晶体管。发明的背景DMOS(双扩散的金属氧化物半导体)晶体管是一种MOSFET(金属半导体场效应 管),它在同一边用两个连续的扩散步骤而形成了晶体管区域。DMOS晶体管的一般应用是 为电源集成电路应用提供高电压、高电流的功率晶体管。当要求低的正向电压降时,DMOS晶 体管提供每个单元区域更高的电流。一个典型的离散DMOS电路包括两个或多个单独的并行制造的DMOS晶体管单元。 该单独的DMOS晶...
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