技术编号：7180308
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及集成电路结构，更具体地涉及穿透硅通孔，再具体地涉及与穿透硅通孔连接的背面金属的形成。背景技术自从发明了集成电路，由于各种电子部件(即晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度的持续提高，半导体工业已经经历了连续快速增长。在很大程度上，集成密度的这种提高来自于最小特征尺寸的不断减小，从而允许更多的部件集成到给定的芯片区域内。 因为被集成的部件占用的体积基本上在半导体晶片的表面上，因此这种集成度提高本质上基本是二维(2D)的。虽然在光刻上的显著提高...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。