技术编号：7180451
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在内部具备功率元件的冷却单元的功率模块。 背景技术IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)或功率 MOSFET 等的功率元件适合于高耐压、大电流的利用，在产业用、民生用设备等中具有广泛的用途。 由于这样的功率元件是控制大电流的元件，所以优选在连接功率元件和外部的通路中电阻 较低。此外，由于功率元件也是发热体，所以优选是能够降低功率模块的热阻、将在功率模 块产生的热迅速地向模块的外部排出的结...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。