技术编号：7180469
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般性涉及相转变存储器件的制造方法，并且更具体涉及相转变层的形成 方法以及使用该相转变层的相转变存储器件的制造方法，其中相转变层可填充而不产生接缝。背景技术考虑到常规非易失性存储器件的设计限制，已经进行研究来开发具有常规非易失 性存储器件特性而没有与常规非易失性存储器件相关的一些缺点的存储器件。正在开发的 一种这样的存储器件是相转变存储器件，其由于结构简单并且器件易于高度集成而被认为 具有潜力。 开发相转变存储器件时必须考虑的最重要的设计因素之一是将...
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