技术编号:7180693
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及。 背景技术在浅沟槽隔离的制作工艺中,浅沟槽隔离区域中绝缘介质(一般为氧化硅)的化 学机械研磨(STI-CMP)是一道至关重要的工序。如图1至图2所示,为浅沟槽隔离绝缘层 的化学机械研磨的示意图。如图1所示,浅沟槽隔离区域200形成于半导体衬底100上,浅沟槽隔离区域200 周围的半导体衬底部分为有源区201。所述半导体衬底100的表面依次形成有垫氧层101, 以及垫氧层101表面的氮化硅层102。所述浅沟槽隔离区域200的沟...
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