技术编号：7181055
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种场效应晶体管。技术背景MoSJt为沟道材料的场效应半导体器件在2010年被报道后，由于其大的开关电流比和小的关态电流而被认为是一种非常具有应用前景的半导体材料。以单层MoS2为沟道材料，以SiO2为栅区介质的场效应器件的 迁移率在没有顶栅介质时仅为O. l-lOcmVs-1左右，如何提升场效应器件的迁移率是急需解决的问题。发明内容为了解决上述问题，本发明提供了一种能够提高场效应管迁移率的场效应晶体管。一种场效应晶体管，...
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