技术编号:7181087
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别是涉及一种具有嵌入式双栅极鳍状场效应晶体 管(embedded double-gate fin-FET)的动态随机存取存储单元结构及存储器阵列,以及其 制造方法。背景技术如本领域的技术人员所知,动态随机存取存储器是由许多存储单元所构成的,通 常各存储单元具有一个晶体管以及一个储存电容。前述储存电容必须能够提供足够的电容 值,以获得较高的读取信号。受限于芯片面积大小,目前的储存电容均普遍采用朝第三维方 向(垂直于晶片表面的方向)发展的立...
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