技术编号：7181123
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及确保良好的初始特性及长期可靠性并能提高高速响应性及单一模式(single mode)性的半导体光元件。背景技术进行直接调制的用于光通信的半导体激光器，有必要在高温下也实现IOGbps程 度的高速响应。因此，进行了有源层的量子阱结构的最优化、涂敷光出射端面而实现的高反 射化、降低寄生电容、缩短有源层的光波导方向的长度L、增大分布反馈型或分布反射型半 导体激光器中的衍射光栅的耦合常数κ、有源层使用AlGaInAs等具有Al元素的材料等。专利文献1 日...
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