技术编号:7181247
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法,特别涉及具有硅化物膜的半导体装置及半导体装置的制造方法。背景技术 近年来随着半导体装置的微细化和高速化的要求,一直在开发使各种晶体管的栅极与源极/漏极低电阻化的技术。其中之一是已经实用化的使晶体管栅极上与源极/漏极上自对准地硅化物化的自对准硅化物(self-alignedsilicide)技术。另一方面,在将自对准硅化物技术应用于具有电容元件或电阻元件的模拟器件的场合,由于电阻元件用的多晶硅上也被硅化物化,因此产...
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