技术编号：7181588
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件，更具体而言，涉及形成在绝缘体上半导体(SOI)衬底上的体接触的混合表面绝缘体上半导体(HSSOI)器件及其制造方法。背景技术混合表面绝缘体上半导体(HSSOI)器件是指采用绝缘体上半导体(SOI)衬底的顶部半导体层的侧壁而形成的半导体器件。HSSOI器件可以与平面半导体器件形成在同一SOI衬底上，所述平面半导体器件采用与顶部半导体层的顶面平行的半导体表面。 HSSOI器件的电特性显示典型的SOI器件的特征。具体而言，浮体效应限制了HS...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。