技术编号：7181649
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置领域，且涉及制造工艺和例如包含变质层的基于III-V半导体化合物的多结太阳能电池的装置。此些装置还被称为倒置变质多结太阳能电池。背景技术 已主要通过硅半导体技术来提供来自光伏电池(还称作太阳能电池)的太阳能。然而，在过去的若干年中，用于太空应用的ni-v化合物半导体多结太阳能电池的大量制造已加速了此技术的发展，不仅供太空中使用，而且还用于陆地太阳能应用。与硅相比，ni-v化合物半导体多结装置具有更大的能量转换效率，且通常具有更大的抗辐射...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。