技术编号：7181730
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于集成电路的晶体管，更特别地，涉及像具有混合栅极和增大的输出电阻的金属氧化物半导体场效应晶体管这样的晶体管。背景技术随着工艺技术的改进，生产符合设计标准的集成电路用的晶体管，正变得越来越具有挑战性。先进的半导体制造技术，使得人们能够生产短栅极长度的金属氧化物半导体晶体管。然而，在短栅极长度的器件中，相对于栅极区而言，源极漏极区可能对器件行为产生不希望大的影响。利用局部化的口袋式注入(pocket implant)可以减轻这些不希望的短沟道效应。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。