技术编号：7182005
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体功率器件，它特别涉及大功率和高压应用的体硅横 向功率器件，如横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向高压二极管、横向绝缘栅双极型晶体管 LIGBT等。背景技术横向高压功率MOS指的是具有横向沟道结构的高压功率MOS。由于这类器件的漏 极、源极和栅极都在芯片表面，易于通过内部连接与低压信号电路集成，故在高压集成电路 (HVIC)和功率集成电路(PIC)中作为高压功率器件特别合适。 在横向功率器件的设计中，必须综合考虑击穿电压、导通电阻、晶体管尺寸...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。