技术编号:7182228
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及沟槽式功率MOS器件,具体涉及一种低栅极电荷深沟槽MOS 功率器件及其制造方法。背景技术沟槽功率MOS器件具有集成度高、导通电阻低、开关速度快、开关损耗小的特点, 已经在低压和中高压应用领域全面替代平面式功率MOS器件,成为功率MOS器件的主流。随 着产品应用的发展,对功率MOS器件的开关速度和开关损耗的要求越来越高,其中开关损 耗占据总损耗70X左右,普通的沟槽式M0S器件在开关特性上显得越来越不足,如何提高 开关速度并降低开关损耗对于节能及高...
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