技术编号:7182259
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。技术背景GaN是继第一代以硅为代表的半导体材料和第二代以砷化镓为代表的半导体材料 之后,迅速发展起来的第三代半导体材料。GaN具有直接能带结构,禁带宽度为3. ^V,还具 有热导率高、电子饱和漂移速率大、击穿场强高、介电常数小等特性。因此在蓝、绿光和紫外 光发光二极管(LED)、短波长激光二极管(LD)、紫外探测器和功率电子器件等多个领域都 有广泛的应用前景。由于GaN体单晶的制备比较困难,难以得到大尺寸和质量比较好的体单晶GaN衬 底,所...
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