技术编号：7182349
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于单晶硅表面深紫外光刻的纳米级厚度的掩膜及其制备技术， 该掩膜是通过利用一种链状有机分子与羟基化的硅表面发生化学缩合反应而形成的。背景技术自发地形成在固体基底上的自组装单层膜由于其对界面的修饰作用而引起研究 者们的普遍关注。这是因为它们在界面浸润性研究、表面摩擦润滑、防腐、传感技术以及纳 米和分子电子器件设计等方面均具有潜在的应用价值。最具代表性并被广泛使用的用于构 造自组装单层膜结构的有机前驱体材料是有机硫醇和有机硅烷分子。这些分子的共同...
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