技术编号:7182352
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体薄膜材料制备技术,特别涉及在硅片上外延化合物半导体材料单晶过渡层的制备方法。 背景技术为了进一步提高器件的载流子迁移率,采用化合物半导体材料制作器件和集成电路成为一种选择。但与硅材料相比,化合物半导体材料(如iii-v族材料)又存在着资源少、价格高、工艺难度大、机械强度低、热导率低等诸多问题。因此,用化合物半导体材料制作的器件和集成电路目前只能应用于军事、航空航天、微波通信等高端领域。在硅衬底上外延化合物半导体单晶薄膜被认为是有前途的技术路...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。