技术编号:7182403
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子,尤其涉及一种等离子体加工工艺中控制进气方式的 方法。背景技术在半导体器件即微电子芯片的制造工艺中,等离子体加工工艺得到了极为广泛的 应用。该工艺是指在一定条件下激发工艺气体生成等离子体,利用等离子体与衬底(例如 硅基片)发生复杂的物理、化学反应而在衬底上完成各种加工,如等离子体刻蚀工艺、等离 子体薄膜沉积工艺等,获得需要的半导体结构。图1为现有技术中普遍采用的等离子体加工设备的结构示意图,如图1所示,设备 的反应腔室上部安装有喷嘴,作为工...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。