技术编号:7182470
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料,特别是涉及一种采用低温减压化学气相淀积 (RPCVD)工艺结合选择性外延工艺制备高锗(Ge)组分锗硅(SiGe)材料的方法。背景技术在半导体产业中,硅作为占据统治地位的半导体材料已经发展了几十年,表现出 了良好的性能。然而,随着器件特征尺寸的不断缩小使单个晶体管尺寸逐渐达到物理和技 术的双重极限,以硅作为沟道材料的CMOS器件的迁移率越来越低,已经无法满足器件性能 不断提升的要求,因此就需要引入应变工程来提高硅材料的迁移率,或者是直接...
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