技术编号：7182478
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件版图设计，尤其涉及一种监控台阶仪测量芯片沟 槽深度准确度的方法。背景技术源漏击穿电压Bvdss和源漏导通电阻Rdson是低压沟槽DMOS(DMOS)器件较为关 键的参数，该两个参数相互之间较为敏感，一般情况下，Bvdss的期望值为20伏 100伏， Rdson的期望值为低于十几毫欧，由于Bvdss和Rdson的取值与沟槽深度有关，因此沟槽深 度不同可能会确定出不同取值的Bvdss和Rdson，因此，在干刻沟槽工艺过程中，对沟槽的 深度进...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。