技术编号:7182493
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米特征尺寸半导体器件制备,尤其涉及在锗衬底上采用铪 基高介电常数栅介质制备金属-氧化物-半导体(M0Q电容的方法。背景技术历史上,第一个晶体管和第一块集成电路都采用锗衬底材料制备。由于锗的氧化 物的热力学不稳定性和易溶于水的特性,使其不适合作为栅介质材料;而二氧化硅则具有 优异的物理特性和电学特性,因此采用硅衬底的金属-氧化物-半导体晶体管(MOSFET)在 过去的四十年间获得了广泛的研究和应用。四十年来,集成电路技术按摩尔定律持续发展, 特征...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。