技术编号:7182561
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过应变工程来改善NMOS晶体管器件性能的制造方法,更具体地,本 发明涉及通过引起沟道区的应力改变,来提高载流子的迁移率。背景技术随着半导体技术的发展,具有更高性能和更强功能的集成电路要求更大的元件密 度,而且各个部件、元件之间或各个元件自身的尺寸、大小和空间也需要进一步缩小。然而,当集成电路元件的尺寸缩小时,不可避免地损害了晶体管和其他元件运转 的恒定材料特性和物理效应。因此,已经对晶体管的设计进行了很多新的创新,以便把这些 元件的性能保持到合...
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