技术编号:7182583
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及抗辐照加固微电子学和固体电子学中CMOS电路瞬态辐照, 尤其涉及一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路。背景技术电离辐射在半导体器件中产生电荷有两种方法,一是直接电离辐照,二是间接电 离辐照这两种机制都会导致集成电路失效。其中对于直接电离辐照,由入射粒子直接电离产生电荷。当高能带电粒子穿过半导体 材料时,损失能量,沿着入射路径离化产生电子空穴对。入射粒子损失所有的能量后,在半 导体材料中经过的路径称为射程。LET表示粒子入射材料中单位路径上损失...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。