技术编号:7182587
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,尤其涉及一种半绝缘柱超结MOSFET结构。 背景技术如图1所示,图1是传统的纵向超结N型DM0SFET结构的示意图。传统的纵向超 结N型DM0SFET结构利用P型硅柱形成的电荷补偿原理,可以在保证击穿电压的同时,提高 外延漂移层的掺杂浓度,因而,相对于传统的纵向DM0SFET可以显著降低单位面积的导通 电阻,有利于系统微型化、高开关频率、低电路寄生、高效率和低成本,是功率开关元件领域 的研发热点。但是传统的纵向超结MOSFET结构存在...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。