技术编号:7182651
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体元件,且更具体地涉及具有槽(trench)的半导体元件。 背景技术金属氧化物半导体场效应晶体管(“M0SFET”)是一种常见的功率开关器件。 MOSFET器件包括源区、漏区、在源区和漏区之间延伸的沟道区,以及邻近沟道区设置的栅结 构。栅结构包括邻近沟道区设置并靠薄的电介质层与沟道区分隔开的导电栅电极层。当向 栅结构施加足够强度的电压以将MOSFET器件置于开态时,在源区和漏区之间形成导电沟 道区,从而允许电流流过该器件。当向栅施加的电压...
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