技术编号：7182724
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及信息存储设备，更具体地说，是涉及包含磁性隧道结的存储设备。背景技术 典型的磁随机存取存储器(“MRAM”)包含了一个存储单元阵列，沿着存储单元的行延伸的字线，沿着存储单元的列延伸的位线。每个存储单元位于字线和位线的交点上。MRAM的存储单元可基于磁性隧道结(“MTJs”)，例如与自旋相关的隧道(“SDT”)结。典型的SDT结包含一个钉扎层、一个传感层以及夹在中间的绝缘隧道阻挡层。钉扎层有一个固定的磁化向量，可以在关注范围内的外加磁场存在时防止发生...
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