技术编号：7182746
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，更具体的，本发明涉及一种双位快闪存储器制作方法。背景技术作为一种集成电路存储器件，快闪存储器具有电可擦写存储信息的功能，因此，快 闪存储器被广泛应用于如便携式电脑、手机、数码音乐播放器等电子产品中。通常的，依据 栅极结构的不同，快闪存储器分为堆叠栅极快闪存储器及分离栅极快闪存储器两种类型， 这两种快闪存储器都需要将存储单元以适合本身操作的阵列进行排布，每一存储单元都用 来储存单一位的数据。这种快闪存储器的存储阵列需要场氧化层或沟槽式绝缘层...
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