技术编号:7182999
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,且特别是涉及一种可去除芯片因切割所产生的裂缝的。现今半导体元件建构于一单晶硅晶片(silicon wafer)上,为了提高产量及降低制造成本,晶片直径已由过去四英寸、五英、六英寸演变到现行的八英寸晶片,使在一片晶片上能同时生产更多的芯片。然而由于晶片的长晶切割技术的限制,以及为防止后续制作工艺晶片因受力或受热产生变形或破裂,一般硅晶片的厚度,以八英寸晶片为例,约为700至800微米。然后对晶片的一表面进行抛光,使其形成镜面(mirror s...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。