技术编号:7183279
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种提高SiC(碳化硅)衬底的GaN晶体生长质量的方法,属于光电子 。背景技术以GaN为代表的三族氮化物(AlN、GaN、 InN、AlGalnN)由于具有优良的光电特性, 因而在蓝光、绿光、紫外发光二极管(LED)及高频、高温大功率电子器件中得到广泛应用。 由于缺乏晶格匹配的衬底,三族氮化物都是异质外延在其他材料上,常用的衬底有蓝宝石、 SiC(碳化硅)、Si (硅)、砷化镓、氧化锌等,常用的外延方法有金属有机物化学气相沉积 (M0CVD)、分...
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