技术编号:7183333
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光器件和制造该半导体发光器件的方法。背景技术诸如发光二极管(LED)的半导体发光器件包括例如包括凸出的叠层体的发光部 分20,通过在半导体发光器件制造衬底(以下可以简称为衬底10)上依次叠加n导电类型 的第一化合物半导体层21、有源层23和p导电类型的第二化合物半导体层22而获得该叠 层体。第一电极(n侧电极)41位于衬底10上或暴露的第一化合物半导体层21的暴露的 部分21a上。第二电极(p侧电极)130位于第二化合物半导体层22的上表...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。