技术编号:7183523
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,更具体地是涉及一种具有浅槽隔离结 构的半导体器件及其制造方法。背景技术浅槽隔离技术(以下简称STI)是随着深亚微米集成电路技术的发展,而产生的一 种新兴的场区隔离技术。但是当晶片上生长有120A以上的栅氧化层时,晶片栅氧化层角落 部位(corner,为栅氧化层与凹槽相邻的部分)的氧化层厚度要低于主动区(active area) 平坦部位的氧化层厚度。如图1所示,当内衬氧化物(liner oxide)的厚度为150入时,...
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