技术编号:7183637
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体开关二极管,尤其涉及一种纳秒脉冲源器件中的作为开关 使用的漂移阶跃恢复二极管(DSRD)及其制备方法。背景技术在超宽带脉冲源中,产生从皮秒到纳秒超宽带脉冲的关键电子元件是开关。在产生纳秒级的高压脉冲时,传统的器件(如等离子断路器、注射式闸流管和爆破丝等)寿命短、抗冲击能力差以及无法重复使用。传统的半导体器件,如用专用场效应晶体管最快速的电流切断时间需10ns且系统很复杂,成本昂贵。传统的大功率高压半导体二极管其电流切断过程的持续时间在微...
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