技术编号：7183664
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于硅晶圆(silicon wafer)的清洗，特别是关于硅晶圆背侧表面(backside surface)与边缘(bevel edges)的清洗方法，以及其清洗液成分(cleaning composition)。众所周知，铜制程大体上包括将氮化钽(TaN)等阻障材质以物理气相沉积(PVD)技术溅镀到晶圆表面的镶嵌结构中，接着镀上铜晶种层(seed copperlayer)，最后再覆以填入铜金属。其主要缺陷在于采用铜内联机(copper inter...
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