技术编号:7183714
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是晶体硅太阳电池金属电极的,具体涉及的是一种半导体 副栅极一金属主栅极晶体硅太阳电池制备方法。背景技术由于金属具有较好的导电特性,目前晶体硅太阳电池的正面电极全部是采用金属 来制备的,尤其是金属银。具体是利用丝网版将金属电极浆料印刷到硅片上形成一定的电 极图案,然后再进行高温烧结,使金属固化并在连接处与硅片形成合金和欧姆接触。采用金 属来制备太阳电池的正面电极时,由于金属电极浆料和丝网印刷工艺自身的限制,难以将 金属栅线的宽度做得很精细,这将导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。